￥ 39.456

IXKK85N60C 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXKK 系列单 N 沟道 600 V 36 mOhm 700 W 功率 Mosfet - TO-264

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXKK85N60C 数据手册 (4 页)

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IXKK85N60C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

30 mΩ

极性

N-CH

功耗

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

85A

上升时间

27 ns

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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IXKK85N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

20.29 mm

宽度

5.31 mm

高度

26.59 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXKK85N60C 符合标准

IXKK85N60C 海关信息

IXKK85N60C 概述

IXKK85N60C 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.2 MByte

IXKK85N60C 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.54 MByte

IXKK85N60 数据手册

IXKK85N60C 数据手册

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IXKK 系列单 N 沟道 600 V 36 mOhm 700 W 功率 Mosfet - TO-264

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