IXKN45N80C

￥ 40.468

IXKN45N80C 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXKN45N80C 数据手册 (4 页)

IXKN45N80C 数据手册 (4 页)

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IXKN45N80C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

63 mΩ

功耗

-

阈值电压

3.9 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

上升时间

15 ns

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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IXKN45N80C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

12.22 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXKN45N80C 符合标准

IXKN45N80C 数据手册

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IXYS Semiconductor

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IXKN45N80 数据手册

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