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IXKR25N80C 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

ISOPLUS-247

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXKR25N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 800 V, 150 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXKR25N80C 数据手册 (2 页)

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IXKR25N80C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

ISOPLUS-247

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

250 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

25.0 A

上升时间

15 ns

隔离电压

2.50 kV

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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IXKR25N80C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXKR25N80C 符合标准

IXKR25N80C 数据手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.09 MByte

IXKR25N80C 开发手册

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6 页 / 1.89 MByte

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