IXTA3N100D2

￥ 5.54

IXTA3N100D2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道 1kV 3A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTA3N100D2 数据手册 (5 页)

IXTA3N100D2 数据手册 (5 页)

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IXTA3N100D2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

连续漏极电流(Ids)

3A

上升时间

67 ns

输入电容值(Ciss)

1020pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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IXTA3N100D2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTA3N100D2 符合标准

IXTA3N100D2 数据手册

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