￥ 4.097

IXTA3N110 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTA3N110 数据手册 (4 页)

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IXTA3N110 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

4 Ω

极性

N-CH

功耗

150 W

漏源极电压(Vds)

1100 V

漏源击穿电压

1100 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @25V(Vds)

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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IXTA3N110 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

9.9 mm

宽度

9.2 mm

高度

4.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTA3N110 符合标准

IXTA3N110 概述

IXTA3N110 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.13 MByte

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