IXTH10N100D2

￥ 11.874

IXTH10N100D2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTH10N100D2 数据手册 (5 页)

IXTH10N100D2 数据手册 (5 页)

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IXTH10N100D2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.5 Ω

极性

N-CH

功耗

695 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

漏源击穿电压

1000 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

36 ns

输入电容值(Ciss)

5320pF @25V(Vds)

下降时间

164 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

695W (Tc)

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IXTH10N100D2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTH10N100D2 数据手册

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