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IXTH10P50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXTH 系列单 P 沟道 500 V 1 Ohm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 AD

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTH10P50P 数据手册 (6 页)

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IXTH10P50P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

极性

P-CH

功耗

300W (Tc)

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

28 ns

输入电容值(Ciss)

2840pF @25V(Vds)

下降时间

44 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXTH10P50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTH10P50P 符合标准

IXTH10P50P 概述

IXTH10P50P 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.17 MByte

IXTH10P50P 其他数据使用手册

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9 页 / 0.14 MByte

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