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IXTH12N100Q
6.165
IXTH12N100Q 数据手册 (5 页)
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IXTH12N100Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
-
漏源极电压(Vds)
1000 V

IXTH12N100Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

IXTH12N100Q 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.11 MByte

IXTH12N100 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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