Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTH1N250 Datasheet 文档
IXTH1N250
11.472
IXTH1N250 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXTH1N250 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
漏源极电压(Vds)
2500 V
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
1660pF @25V(Vds)
下降时间
39 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250000 mW

IXTH1N250 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

IXTH1N250 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.11 MByte

IXTH1 数据手册

IXYS Semiconductor
IXTH 系列 单 P沟道 500 V 750 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 AD
IXYS Semiconductor
IXTH 系列 单 P 沟道 500 V 1 Ohm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 AD
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH15N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 15 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 2.5 V
IXYS Semiconductor
通孔 P 通道 600V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
N沟道 1.5kV 12A
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z