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IXTH30N50
12.719
IXTH30N50 数据手册 (2 页)
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IXTH30N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
360W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
输入电容值(Ciss)
5680pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
360W (Tc)

IXTH30N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTH30N50 数据手册

IXYS Semiconductor
2 页 / 0.05 MByte
IXYS Semiconductor
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IXTH30 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V
IXYS Semiconductor
N沟道 600V 30A
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH30N60L2  功率场效应管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 600 V, 240 mohm, 10 V, 2.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
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