￥ 1.586

IXTH75N10 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXTH75N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTH75N10 数据手册 (4 页)

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IXTH75N10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

75.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

4 V

输入电容

4.50 nF

栅电荷

260 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 A

输入电容值(Ciss)

4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXTH75N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTH75N10 符合标准

IXTH75N10 海关信息

IXTH75N10 概述

IXTH75N10 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.56 MByte

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20 页 / 2.6 MByte

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