￥ 65.705

IXTN30N100L 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXTN 系列单 N沟道 1000 V 450 mOhm 800 W 功率 Mosfet - SOT-227B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTN30N100L 数据手册 (6 页)

IXTN30N100L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

功耗

800 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

上升时间

70 ns

输入电容值(Ciss)

13700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

800 W

下降时间

78 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

800W (Tc)

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IXTN30N100L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

25.07 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTN30N100L 符合标准

IXTN30N100L 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.12 MByte

IXTN30N100L 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

IXTN30N100 数据手册

IXTN30N100L 数据手册

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IXTN 系列单 N沟道 1000 V 450 mOhm 800 W 功率 Mosfet - SOT-227B

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