IXTN660N04T4

￥ 26.288

IXTN660N04T4 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTN660N04T4 数据手册 (6 页)

IXTN660N04T4 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

850 mΩ

功耗

1.04 kW

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

上升时间

430 ns

反向恢复时间

60 ns

正向电压(Max)

1.4 V

输入电容值(Ciss)

44000pF @25V(Vds)

下降时间

260 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1040W (Tc)

查看数据手册 >

IXTN660N04T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXTN660N04T4 符合标准

IXTN660N04T4 数据手册

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IXTN660N04T4 其他数据使用手册

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6 页 / 0.16 MByte

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