IXTP05N100P

￥ 1.475

IXTP05N100P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTP05N100P 数据手册 (5 页)

IXTP05N100P 数据手册 (5 页)

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IXTP05N100P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

50W (Tc)

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

1000 V

连续漏极电流(Ids)

0.5A

输入电容值(Ciss)

196pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

50W (Tc)

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IXTP05N100P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTP05N100P 符合标准

IXTP05N100P 概述

IXTP05N100P 数据手册

IXTP05N100P 数据手册

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