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IXTP3N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXTP3N120 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 1.2 kV, 4.5 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTP3N120 数据手册 (5 页)

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IXTP3N120 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.20 kV

额定电流

3.00 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

4.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

1.2 kV

连续漏极电流(Ids)

3.00 A

上升时间

35 ns

反向恢复时间

700 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

200 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200W (Tc)

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IXTP3N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTP3N120 符合标准

IXTP3N120 数据手册

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5 页 / 0.16 MByte

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