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IXTP50N20PM
4.073
IXTP50N20PM 数据手册 (5 页)
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IXTP50N20PM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
90W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
2720pF @25V(Vds)
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
90W (Tc)

IXTP50N20PM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IXTP50N20PM 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.1 MByte

IXTP50N20 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
TO-220 隔离的标片
Littelfuse(力特)
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