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IXTQ30N50P
5.288
IXTQ30N50P 数据手册 (5 页)
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IXTQ30N50P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-3-3
功耗
460W (Tc)
输入电容
4.15 nF
栅电荷
70.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
输入电容值(Ciss)
4150pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
460W (Tc)

IXTQ30N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTQ30N50P 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.33 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.32 MByte

IXTQ30N50 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V
IXYS Semiconductor
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