IXTQ96N15P

￥ 1.29

IXTQ96N15P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTQ96N15P 数据手册 (6 页)

IXTQ96N15P 数据手册 (6 页)

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IXTQ96N15P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-3-3

极性

N-CH

功耗

480 W

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

96A

输入电容值(Ciss)

3500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

480 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

480W (Tc)

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IXTQ96N15P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXTQ96N15P 符合标准

IXTQ96N15P 数据手册

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IXYS Semiconductor

6 页 / 0.16 MByte

IXTQ96N15P 其他数据使用手册

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