IXTY1R6N100D2-TRL

￥ 1.539

IXTY1R6N100D2-TRL 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道 1kV 1.6A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTY1R6N100D2-TRL 数据手册 (5 页)

IXTY1R6N100D2-TRL 数据手册 (5 页)

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IXTY1R6N100D2-TRL 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-252-3

输入电容

645 pF

上升时间

65 ns

下降时间

41 ns

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IXTY1R6N100D2-TRL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

6.73 mm

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IXTY1R6N100D2-TRL 符合标准

IXTY1R6N100D2-TRL 概述

IXTY1R6N100D2-TRL 数据手册

IXTY1R6N100D2-TRL 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.16 MByte

IXTY1R6N100D2 数据手册

IXTY1R6N100D2 数据手册

IXYS Semiconductor

IXTY1R6N100D2-TRL 数据手册

IXYS Semiconductor

N沟道 1kV 1.6A

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