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IXZ318N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

封装:

SMD-6

描述:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ318N50 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET

Pictures:

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IXZ318N50 数据手册 (4 页)

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IXZ318N50 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

65 MHz

封装

SMD-6

输出功率

880 W

增益

23 dB

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

额定电压

500 V

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IXZ318N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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IXZ318N50 符合标准

IXZ318N50 概述

IXZ318N50 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.13 MByte

IXZ318N50 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.38 MByte

IXZ318 数据手册

IXZ318N50 数据手册

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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ318N50 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET

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