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J112-D26Z
0.124
J112-D26Z 数据手册 (5 页)
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J112-D26Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
漏源极电阻
50 Ω
功耗
625 mW
击穿电压
35 V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

J112-D26Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

J112-D26Z 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.38 MByte
ON Semiconductor(安森美)
66 页 / 0.58 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
55 页 / 17.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.45 MByte

J112D26 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J112_D26Z  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-226AA, JFET
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-226AA, JFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
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