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JAN1N6129A
15.421
JAN1N6129A 数据手册 (2 页)
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JAN1N6129A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
Axial
额定功率
500 W
击穿电压
86.5 V

JAN1N6129A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

JAN1N6129A 数据手册

Semtech Corporation
2 页 / 0.1 MByte
Semtech Corporation
3 页 / 0.13 MByte
Semtech Corporation
3 页 / 0.56 MByte

JAN1N6129 数据手册

Microsemi(美高森美)
双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
Semtech Corporation
ESD 抑制器/TVS 二极管 MIL 500 W BIPOLAR TVS
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
Semtech Corporation
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS BI 500W 86.5V SM
Semtech Corporation
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
ESD 抑制器/TVS 二极管 Hi Rel TVS
Microchip(微芯)
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