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JANTX1N6112US
11.248
JANTX1N6112US 数据手册 (4 页)
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JANTX1N6112US 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SMT
额定功率
500 W
击穿电压
16.2 V

JANTX1N6112US 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

JANTX1N6112US 数据手册

Semtech Corporation
4 页 / 0.03 MByte

JANTX1N6112 数据手册

Microsemi(美高森美)
双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
Microchip(微芯)
Semtech Corporation
ESD 抑制器/TVS 二极管 T MET BI 500W 18V
Microsemi(美高森美)
双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
Microsemi(美高森美)
Semtech Corporation
ESD 抑制器/TVS 二极管 T MET BI 500W 18V
Microsemi(美高森美)
Semtech Corporation
Microchip(微芯)
ESD 抑制器/TVS 二极管 Hi Rel TVS
Semtech Corporation
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