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JANTX2N6796U
306.21
JANTX2N6796U 数据手册 (6 页)
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JANTX2N6796U 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
18 Pin
封装
ULCC-18
功耗
0.8 W
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
75 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
800mW (Ta), 25W (Tc)

JANTX2N6796U 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

JANTX2N6796U 数据手册

Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.21 MByte
Microsemi(美高森美)
10 页 / 1.01 MByte

JANTX2N6796 数据手册

Microsemi(美高森美)
每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Fairchild(飞兆/仙童)
Semicoa Semiconductor
Intersil(英特矽尔)
IRF
功率MOSFET N沟道( BVDSS = 100V , RDS(ON) = 0.18ohm ,ID = 8.0A ) POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=8.0A)
Vishay Siliconix
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