KRC412 数据手册 - KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 100KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 120 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.1W/100mW Description & Applications| FEATURES SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. High Packing Density 描述与应用| 特性 开关中的应用。 接口电路和驱动电路应用。 内置偏置电阻器。 简化电路设计。 减少了部件数量和制造工艺。 高密度封装