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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > KSB1017YTU Datasheet 文档
KSB1017YTU
0.845

KSB1017YTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
9 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
25 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
120 @500mA, 5V
额定功率(Max)
25 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25000 mW

KSB1017YTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.16 mm
宽度
2.54 mm
高度
15.87 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSB1017YTU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.28 MByte

KSB1017 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
功率放大器的应用 Power Amplifier Applications
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSB1017YTU , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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