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KSB1151YS 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

KSB1151: PNP外延硅晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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KSB1151YS 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

KSB1151YS 数据手册 (5 页)

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KSB1151YS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-126-3

功耗

1.3 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

最小电流放大倍数

100 @2A, 1V

额定功率(Max)

1.3 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

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KSB1151YS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bag

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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KSB1151YS 符合标准

KSB1151YS 海关信息

KSB1151YS 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.04 MByte

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