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KSB1151YSTSSTU
1.128
KSB1151YSTSSTU 数据手册 (5 页)
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KSB1151YSTSSTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-5.00 A
封装
TO-126-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
160 @2A, 1V
最大电流放大倍数
400
额定功率(Max)
1.3 W
耗散功率(Max)
1.3 W

KSB1151YSTSSTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
宽度
3.25 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSB1151YSTSSTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.15 MByte

KSB1151 数据手册

CJ(长电科技)
三极管(晶体管) KSB1151 TO-126 100-400
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
低集电极 - 发射极饱和电压大的集电极电流 Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Current
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 1.3 W 60 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
KSB1151: PNP外延硅晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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