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KSC5603DTU
0.537
KSC5603DTU 数据手册
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KSC5603DTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
功耗
100 W
击穿电压(集电极-发射极)
800 V
最小电流放大倍数
20 @400mA, 3V
额定功率(Max)
100 W
直流电流增益(hFE)
20
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
100000 mW

KSC5603DTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

KSC5603DTU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

KSC5603 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, NPN, 800 V, 5 MHz, 100 W, 3 A, 20 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
高压高速功率开关应用 High Voltage High Speed Power Switch Application
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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