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KSD1273QYDTU
0.211
KSD1273QYDTU 数据手册 (5 页)
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KSD1273QYDTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
2000 mW
增益频宽积
30 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
500 @500mA, 4V
最大电流放大倍数
2500
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

KSD1273QYDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.16 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.19 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSD1273QYDTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.05 MByte

KSD1273 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高的hFE , AF功率放大器 High hFE, AF Power Amplifier
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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