Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Fairchild(飞兆/仙童) > KSD2012GTU Datasheet 文档
KSD2012GTU
0.41
KSD2012GTU 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

KSD2012GTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
25 W
增益频宽积
3 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
150 @500mA, 5V
最大电流放大倍数
320
额定功率(Max)
25 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
25000 mW

KSD2012GTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.16 mm
宽度
2.54 mm
高度
15.87 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSD2012GTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.13 MByte

KSD2012 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSD2012GTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
Fairchild(飞兆/仙童)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z