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KSD2012GTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor KSD2012GTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 3引脚 TO-220F封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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KSD2012GTU 数据手册 (4 页)

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KSD2012GTU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

3 MHz

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

功耗

25 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

最小电流放大倍数

150 @500mA, 5V

额定功率(Max)

25 W

直流电流增益(hFE)

150

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25000 mW

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KSD2012GTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.16 mm

宽度

2.54 mm

高度

15.87 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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KSD2012GTU 符合标准

KSD2012GTU 海关信息

KSD2012GTU 概述

KSD2012GTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.04 MByte

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