￥ 20.218

KSE13003H1ASTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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KSE13003H1ASTU 数据手册 (4 页)

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KSE13003H1ASTU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-126-3

击穿电压(集电极-发射极)

400 V

最小电流放大倍数

9 @500mA, 2V

额定功率(Max)

20 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

20 W

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KSE13003H1ASTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

8.3 mm

宽度

3.45 mm

高度

11.2 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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KSE13003H1ASTU 符合标准

KSE13003H1ASTU 概述

KSE13003H1ASTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.45 MByte

KSE13003H1ASTU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.55 MByte

KSE13003H1ASTU 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

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