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KSE800STSSTU
0.209
KSE800STSSTU 数据手册 (4 页)
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KSE800STSSTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
极性
NPN
功耗
40000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
750 @1.5A, 3V
额定功率(Max)
40 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40000 mW

KSE800STSSTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Rail
高度
11.2 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSE800STSSTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.15 MByte

KSE800 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构采用内置基射极电阻器 Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
ON Semiconductor(安森美)
KSE800: NPN外延硅达林顿晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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