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KSH122TM
0.08
KSH122TM 数据手册 (8 页)
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KSH122TM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
功耗
1.75 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
1000 @4A, 4V
额定功率(Max)
1.75 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1750 mW

KSH122TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

KSH122TM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.35 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.94 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

KSH122 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSH122  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistor
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSH122TF NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount Applications
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