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KSH31CTF
0.29
KSH31CTF 数据手册 (6 页)
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KSH31CTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-252-3
极性
NPN
功耗
1.56 W
集电极击穿电压
100 V
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数
10 @3A, 4V
额定功率(Max)
1.56 W
直流电流增益(hFE)
25
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1560 mW

KSH31CTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
高度
2.3 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSH31CTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.16 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.13 MByte

KSH31 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
通用放大器低速切换应用程序 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSH31CTF , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
通用放大器低速切换应用程序 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
Samsung(三星)
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