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KSP10BU
0.02
KSP10BU 数据手册 (5 页)
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KSP10BU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
650 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
100 mA
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
最小电流放大倍数
60 @4mA, 10V
额定功率(Max)
350 mW
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1 W

KSP10BU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSP10BU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.25 MByte

KSP10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
甚高频/超高频晶体管 VHF/UHF transistor
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
Vishay Cera-Mite
Panduit(泛达)
Vishay Intertechnology
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSP10BU  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 1 W, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSP10TA , NPN 晶体管, 4 mA, Vce=25 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
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