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KSP10TA
0.019
KSP10TA 数据手册 (10 页)
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KSP10TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
功耗
0.35 W
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
最小电流放大倍数
60
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

KSP10TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSP10TA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.04 MByte

KSP10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
甚高频/超高频晶体管 VHF/UHF transistor
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
Vishay Cera-Mite
Panduit(泛达)
Vishay Intertechnology
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSP10BU  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 1 W, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSP10TA , NPN 晶体管, 4 mA, Vce=25 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
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