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KST5551MTF
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KST5551MTF 数据手册 (3 页)
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KST5551MTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
160 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
0.35 W
击穿电压(集电极-发射极)
160 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
80 @10mA, 5V
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

KST5551MTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.97 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KST5551MTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.16 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte

KST5551 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
晶体管放大器 Amplifier Transistor
Samsung(三星)
KST5551 NPN三极管 180V 600mA/0.6a 300MHz 80~250 200mV/0.2V SOT-23/SC-59 marking/标记 G1 晶体管放大器
ASC Capacitors
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KST5551MTF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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