KTX102U-Y 数据手册 - KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V/60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -150mA/150mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 120~400 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| -100mV/100mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 200mW Description & Applications| Features •EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR •Including two devices in US6.(Ultra Super mini type with 6 leads) •Simplify circuit design. •Reduce a quantity of parts and manufacturing process. •GENERAL PURPOSE APPLICATION. 描述与应用| 特点 •外延平面PNP/NPN晶体管 •在US6包括两个设备（超超级迷你型6引线） •简化电路设计。 •减少了部件数量和制造工艺。 •通用应用。