器件3D模型

￥ 3.838

L6392DTR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SO-14

描述:

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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L6392DTR 数据手册 (20 页)

引脚图在4 页Hot

封装尺寸在16 页 17 页

典型应用电路图在13 页

原理图在3 页

L6392DTR 数据手册 (20 页)

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L6392DTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

14 Pin

封装

SO-14

上升/下降时间

75ns, 35ns

输出接口数

1 Output

功耗

800 mW

下降时间(Max)

70 ns

上升时间(Max)

120 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

800 mW

电源电压

12.5V ~ 20V

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L6392DTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

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L6392DTR 符合标准

L6392DTR 海关信息

L6392DTR 概述

L6392DTR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 0.56 MByte

L6392DTR 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

L6392DTR 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

198 页 / 1.42 MByte

L6392DTR 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 1.17 MByte

L6392DTR 产品描述及参数

ST Microelectronics（意法半导体）

7 页 / 0.06 MByte

L6392 数据手册

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高电压高侧和低侧驱动器 High-voltage high and low side driver

L6392D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS L6392D 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14

L6392DTR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA

L6392N 数据手册

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