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器件3D模型
¥ 1.651
L6395D 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
STMICROELECTRONICS L6395D 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 125ns延迟, SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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L6395D 数据手册 (16 页)
引脚图
在
4 页
Hot
封装尺寸
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在
3 页
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L6395D 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
75ns, 35ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
功耗
800 mW
开关频率
800 kHz
下降时间(Max)
70 ns
上升时间(Max)
120 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
800 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V
查看数据手册 >
L6395D 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
L6395D 符合标准
L6395D 海关信息
L6395D 概述
●
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
●
### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
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L6395D
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.44 MByte
L6395D
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ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
L6395D
其他数据使用手册
ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.05 MByte
L6395D
产品修订记录
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.04 MByte
L6395 数据手册
L6395
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
L6395
D
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS L6395D 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 125ns延迟, SOIC-8
L6395
DTR
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA
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