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器件3D模型
¥ 2.201
L6491DTR 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
主动器件
封装:
SO-14
描述:
栅极驱动IC L6491DTR SO-14
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
L6491DTR 数据手册 (24 页)
引脚图
在
4 页
Hot
封装尺寸
在
20 页
21 页
22 页
典型应用电路图
在
17 页
原理图
在
3 页
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L6491DTR 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
14 Pin
封装
SO-14
输出接口数
1 Output
输出电流
4 A
静态电流
700 µA
上升时间
40 ns
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
输入电压
1.5 V
查看数据手册 >
L6491DTR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
L6491DTR 符合标准
L6491DTR 海关信息
L6491DTR 概述
●
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 14-SO
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L6491DTR
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ST Microelectronics(意法半导体)
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L6491DTR
产品设计参考手册
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
L6491DTR
其他数据使用手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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L6491DTR
开发手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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L6491 数据手册
L6491
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
L6491
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ST Microelectronics(意法半导体)
L6491D 管装
L6491
DTR
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栅极驱动IC L6491DTR SO-14
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