器件3D模型

￥ 0.216

LM293ADGKR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

比较器

封装:

VSSOP-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS LM293ADGKR 模拟比较器, 双路, 差分, 2, 300 ns, 2V 至 36V, VSSOP, 8 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

LM293ADGKR 数据手册 (25 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页 21 页 22 页 23 页 24 页

典型应用电路图在10 页

原理图在1 页 9 页

LM293ADGKR 数据手册 (25 页)

查看文档

或点击图片查看大图

LM293ADGKR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

2.00V (min)

封装

VSSOP-8

输出电流

20 mA

供电电流

1 mA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

静态电流

800 µA

输入补偿电压

2 mV

输入偏置电流

250 nA

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-25 ℃

电源电压

2V ~ 36V

电源电压(Max)

30 V

电源电压(Min)

2 V

查看数据手册 >

LM293ADGKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.95 mm

工作温度

-25℃ ~ 85℃

查看数据手册 >

LM293ADGKR 符合标准

LM293ADGKR 概述

LM293ADGKR 数据手册

TI（德州仪器）

25 页 / 0.85 MByte

LM293ADGKR 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

4 页 / 0.2 MByte

LM293 数据手册

LM293DR 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM293DR 芯片, 电压比较器, 双路差分

LM293DT 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS LM293DT 模拟比较器, 双路, 电压, 2, 1.3 µs, 2V 至 36V, SOIC, 8 引脚

LM293DR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR LM293DR2G 标准恢复功率整流器

LM2937IMP-3.3/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM2937IMP-3.3/NOPB 线性稳压器, 固定, 4.75V至26V输入, 3.3V和400mA输出, SOT-223-4

LM2931CDR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR LM2931CDR2G. 线性稳压器

LM293DGKR 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM293DGKR 模拟比较器, 双路, 差分, 2, 300 ns, 2V 至 36V, MSOP, 8 引脚

LM2931AD-5.0R2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR LM2931AD-5.0R2G 新

LM2931D-5.0R2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR LM2931D-5.0R2G 新

LM293P 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM293P 模拟比较器, 双路, 差分, 2, 300 ns, 2V 至 36V, DIP, 8 引脚

LM293ADR 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM293ADR. 模拟比较器, 双路, 差分, 2, 300 ms, 2V 至 36V, SOIC, 8 引脚

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号