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器件3D模型
¥ 0.076
LM293N 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
比较器
封装:
DIP-8
描述:
STMICROELECTRONICS LM293N 模拟比较器, 低功耗, 2, 1.3 µs, ± 1V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
LM293N 数据手册 (20 页)
引脚图
在
3 页
Hot
封装尺寸
在
11 页
12 页
13 页
14 页
15 页
16 页
17 页
典型应用电路图
在
8 页
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原理图
在
4 页
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LM293N 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
电源电压
2.00V (min)
封装
DIP-8
输出电流
18mA @5V
供电电流
1 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
1250 W
静态电流
400 µA
输入补偿电压
5 mV
输入偏置电流
250 nA
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
2 V
查看数据手册 >
LM293N 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
3.3 mm
工作温度
-40℃ ~ 105℃
查看数据手册 >
LM293N 符合标准
LM293N 数据手册
LM293N
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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LM293 数据手册
LM293
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TEXAS INSTRUMENTS LM293DR 芯片, 电压比较器, 双路 差分
LM293
DT
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS LM293DT 模拟比较器, 双路, 电压, 2, 1.3 µs, 2V 至 36V, SOIC, 8 引脚
LM293
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR LM2931CDR2G. 线性稳压器
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TEXAS INSTRUMENTS LM293DGKR 模拟比较器, 双路, 差分, 2, 300 ns, 2V 至 36V, MSOP, 8 引脚
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ON SEMICONDUCTOR LM2931AD-5.0R2G 新
LM293
1D-5.0R2G
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR LM2931D-5.0R2G 新
LM293
P
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM293P 模拟比较器, 双路, 差分, 2, 300 ns, 2V 至 36V, DIP, 8 引脚
LM293
ADR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM293ADR. 模拟比较器, 双路, 差分, 2, 300 ms, 2V 至 36V, SOIC, 8 引脚
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