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器件3D模型
¥ 0.982
LM5109BMAX 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
门驱动器 High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver 8-SOIC -40 to 125
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
LM5109BMAX 数据手册 (24 页)
引脚图
在
3 页
Hot
封装尺寸
在
18 页
20 页
21 页
典型应用电路图
在
11 页
12 页
原理图
在
9 页
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LM5109BMAX 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
15 ns
输出接口数
2 Output
输出电流
1 A
静态电流
200 µA
上升时间
15 ns
下降时间
15 ns
下降时间(Max)
15 ns
上升时间(Max)
15 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
8V ~ 14V
查看数据手册 >
LM5109BMAX 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.45 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
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LM5109BMAX 符合标准
LM5109BMAX 数据手册
LM5109BMAX
数据手册
TI(德州仪器)
24 页 / 1.35 MByte
LM5109BMAX
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
25 页 / 1.51 MByte
LM5109BMAX
开发手册
TI(德州仪器)
5 页 / 0.28 MByte
LM5109 数据手册
LM5109
数据手册
National Semiconductor(美国国家半导体)
100V / 1A峰值半桥栅极驱动器 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver
LM5109
数据手册
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LM5109
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LM5109BMAX /NOPB 编带
LM5109
BSD/NOPB
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TEXAS INSTRUMENTS LM5109BSD/NOPB 驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 32ns延迟, WSON-8
LM5109
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TEXAS INSTRUMENTS LM5109ASD/NOPB 驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, WSON-8
LM5109
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TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
LM5109
AMA/NOPB
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TEXAS INSTRUMENTS LM5109AMA/NOPB 驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, SOIC-8
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具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器 8-WSON -40 to 125
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