器件3D模型

￥ 1.13

LM5110-1M 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

LM5110双通道5A复合门驱动器，提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

LM5110-1M 数据手册 (20 页)

引脚图在2 页 3 页Hot

封装尺寸在12 页 14 页 15 页

典型应用电路图在1 页 3 页

原理图在2 页

LM5110-1M 数据手册 (20 页)

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LM5110-1M 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

上升/下降时间

14ns, 12ns

输出接口数

2 Output

静态电流

1.00 mA

下降时间(Max)

25 ns

上升时间(Max)

25 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

3.5V ~ 14V

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LM5110-1M 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

查看数据手册 >

LM5110-1M 符合标准

LM5110-1M 概述

LM5110-1M 数据手册

TI（德州仪器）

20 页 / 0.96 MByte

LM5110-1M 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

26 页 / 1.02 MByte

LM5110-1M 开发手册

TI（德州仪器）

16 页 / 0.41 MByte

LM51101 数据手册

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具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

LM5110-1SD/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125

LM5110-1M/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM5110-1M/NOPB 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8

LM5110-1SDX/NOPB 数据手册

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具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125

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