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器件3D模型
¥ 0.615
LM5110-1SD 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
负载控制器
封装:
WSON-10
描述:
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
LM5110-1SD 数据手册 (26 页)
引脚图
在
3 页
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封装尺寸
在
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典型应用电路图
在
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原理图
在
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LM5110-1SD 数据手册
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LM5110-1SD 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
电源电压
14.0V (max)
封装
WSON-10
上升/下降时间
14ns, 12ns
输出接口数
2 Output
输出电流
5 A
静态电流
1.00 mA
上升时间
25 ns
下降时间
25 ns
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
25 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3.5V ~ 14V
查看数据手册 >
LM5110-1SD 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4 mm
宽度
4 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
LM5110-1SD 符合标准
LM5110-1SD 海关信息
LM5110-1SD 数据手册
LM5110-1SD
数据手册
TI(德州仪器)
26 页 / 1.01 MByte
LM5110-1SD
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
101 页 / 5.8 MByte
LM5110-1SD
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
26 页 / 1.02 MByte
LM51101 数据手册
LM5110-1MX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
LM5110-1SD/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
LM5110-1M/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM5110-1M/NOPB 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
LM5110-1SDX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
LM5110-1SD
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-1MX
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-1M
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-1SDX
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-1SD/NOPB
数据手册
National Semiconductor(美国国家半导体)
LM5110-1M/NOPB
数据手册
National Semiconductor(美国国家半导体)
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