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器件3D模型
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LM5110-1SD/NOPB 数据手册 - National Semiconductor(美国国家半导体)
制造商:
National Semiconductor(美国国家半导体)
分类:
FET驱动器
封装:
LLP EP
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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PDF文件:
LM5110-1SD/NOPB 数据手册 (20 页)
引脚图
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LM5110-1SD/NOPB 数据手册
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LM5110-1SD/NOPB 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
LLP EP
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
3.5 V
查看数据手册 >
LM5110-1SD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
4 mm
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LM5110-1SD/NOPB 符合标准
LM5110-1SD/NOPB 数据手册
LM5110-1SD/NOPB
数据手册
National Semiconductor(美国国家半导体)
20 页 / 0.96 MByte
LM51101 数据手册
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具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
LM5110-1SD/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
LM5110-1M/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM5110-1M/NOPB 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
LM5110-1SDX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
LM5110-1SD
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-1MX
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-1M
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-1SDX
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TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-1SD/NOPB
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