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器件3D模型
¥ 2.836
LM5110-3M/NOPB 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
TEXAS INSTRUMENTS LM5110-3M/NOPB 复合门驱动器, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
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引脚图
产品图
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LM5110-3M/NOPB 数据手册 (20 页)
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LM5110-3M/NOPB 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
14.0V (max)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
14ns, 12ns
输出接口数
2 Output
输出电流
5 A
针脚数
8 Position
静态电流
1.00 mA
上升时间
25 ns
下降时间
25 ns
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
25 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3.5V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
3.5 V
查看数据手册 >
LM5110-3M/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.45 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
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LM5110-3M/NOPB 符合标准
LM5110-3M/NOPB 海关信息
LM5110-3M/NOPB 概述
●
低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SOIC
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LM5110-3M/NOPB 数据手册
LM5110-3M/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
20 页 / 0.96 MByte
LM5110-3M/NOPB
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TI(德州仪器)
26 页 / 1.02 MByte
LM5110-3M/NOPB
产品修订记录
TI(德州仪器)
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LM51103 数据手册
LM5110-3M/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM5110-3M/NOPB 复合门驱动器, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
LM5110-3MX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
LM5110-3SD/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
LM5110-3SDX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
LM5110-3SD
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-3MX
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-3M
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-3M/NOPB
数据手册
National Semiconductor(美国国家半导体)
LM5110-3SDX
数据手册
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
LM5110-3SD/NOPB
数据手册
National Semiconductor(美国国家半导体)
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